장비 II: 장비 종류와 제조사
8장에서는 퍼니스와 RTP 챔버를 열어 석영관과 보트, 램프와 고온계를 하나씩 보았다. 이 장에서는 한 걸음 물러나 Fab의 열공정 구역 전체를 둘러본다. 웨이퍼를 100장 넘게 꽂아 넣는 키 큰 종형 퍼니스가 있고, 웨이퍼 한 장을 몇 초 만에 달구었다 식히는 램프 RTP가 있고, 표면만 1밀리초 남짓 데우는 플래시 램프와 레이저가 있다. 플라즈마로 낮은 온도에서 산화·질화하는 장비와 높은 압력의 수소로 어닐하는 장비도 있다. 이 장비들을 가열 방식과 시간 척도, 한 번에 처리하는 장수로 나누고, 공정마다 어떤 장비가 쓰이는지 지도로 찾아본다. 이어서 열 예산과 처리량을 함께 계산해 방식이 갈리는 이유를 확인하고, 국내외 장비사가 공식 자료에서 무엇을 만든다고 말하는지 읽은 뒤, 회사가 내세우는 '1위'를 바르게 읽는 법으로 마무리한다.
- 열공정 장비를 가열 방식(저항 히터 핫월, 램프, 플래시 램프, 레이저, 플라즈마, 고압)과 시간 척도, 한 번에 처리하는 장수로 분류할 수 있다.
- 열산화, 확산·어닐, 도펀트 활성화, 실리사이드, 플라즈마 질화, 고압 수소 어닐 같은 공정에 어떤 장비 방식이 쓰이는지와 그 이유를 말할 수 있다.
- 확산 길이로 본 열 예산과 시간당 처리량을 간단한 모델로 계산해 배치 퍼니스, 램프 RTP, 밀리초 어닐을 비교할 수 있다.
- 국내외 주요 열처리 장비사의 제품을 공식 자료로 찾아 읽고, 사양표 숫자에 붙은 조건과 회사 설명을 구분할 수 있다.
- '1위' 같은 시장 주장을 누가, 어떤 시장을, 언제, 누구의 집계로 말했는지 나눠 읽을 수 있다.
열공정 장비를 나누는 기준
열공정 장비도 이름부터 외우면 금방 헷갈린다. TELINDY PLUS, Radiance Plus, Millios, LSA 201은 모두 웨이퍼를 데우는 장비지만 하는 일이 크게 다르다. 장비를 볼 때 네 가지를 차례로 물으면 대부분 제자리를 찾는다. ① 무엇으로 데우는가. 가열 방식이 온도를 얼마나 빨리 올리고 내릴 수 있는지를 정하고, 그래서 최고 온도에 머무는 시간의 척도가 정해진다. ② 한 번에 몇 장을 처리하는가. ③ 어떤 분위기와 압력에서 처리하는가. ④ 어떤 크기의 웨이퍼를 다루는가. 히터와 램프, 온도 측정의 속 구조는 8장에서, 짧은 열처리의 물리는 6장에서 다뤘으니 여기서는 장비를 고르는 데 필요한 만큼만 정리한다.
무엇으로 데우나: 가열 방식과 시간 척도
가장 오래된 갈래는 종형 퍼니스(Vertical furnace)다. 석영관을 둘러싼 저항 히터가 관 전체를 데우는 핫월(Hot-wall) 방식이고, 웨이퍼를 층층이 눕혀 꽂은 보트를 관 아래에서 밀어 올린다. 예전의 횡형(가로) 퍼니스는 보트를 관 속으로 밀어 넣을 때 마찰로 파티클이 생겼고, 뜨거운 석영이 휘어 관과 보트를 자주 바꿔야 했으며, 웨이퍼를 넣는 동안 들어온 공기가 자연 산화막을 키웠다. 그래서 1980년대에 종형이 나왔고, Kokusai Electric은 Hitachi와 함께 개발한 종형 퍼니스를 1986년 VERTEX 시리즈로 상용화했다. 독일 Kiel 대학의 강의 자료는 200 mm와 300 mm 양산이 거의 전적으로 종형 퍼니스를 쓴다고 적는다. 핫월은 관과 웨이퍼가 함께 데워져 온도가 고르지만 느리다. Applied Materials의 한 특허는 퍼니스의 승온을 분당 5~15 °C로 적고, 1997년 SEMATECH의 '빠른 승온' 퍼니스 공동 개발도 50장 배치를 평균 분당 75 °C로 데우고 분당 50 °C로 식히는 것이 목표였다. 웨이퍼를 넣고 빼는 시간까지 더하면 퍼니스 어닐은 짧아도 약 15분이 걸린다.
램프 RTP(Rapid Thermal Processing, 급속 열처리)는 벽이 차가운 콜드월(Cold-wall) 챔버에서 텅스텐 할로겐 램프의 빛으로 웨이퍼 한 장만 데운다. Applied의 ISSG 특허에 나오는 챔버는 벽이 웨이퍼보다 400 °C 이상 차갑다. 데울 것이 웨이퍼 한 장뿐이어서 빠르다. 같은 회사의 다른 특허는 램프 RTP의 승온을 보통 초당 200~400 °C, 냉각을 초당 80~150 °C로 적고, 대표 프로파일로 초당 250 °C 승온과 90 °C 냉각을 든다. 최고 온도에 머무르지 않고 바로 식히는 열처리를 Spike 어닐(Spike anneal), 정해 둔 시간 동안 머무는 열처리를 Soak 어닐(Soak anneal)이라 한다. Spike가 얼마나 날카로운지는 최고 온도에서 50 °C 안쪽에 머문 시간 \(t_R\)로 재는데, Applied 특허에서 표준 Centura Radiance는 1.6초였고 냉각을 개선해 0.9초로 줄였다.
1초보다 훨씬 짧게 하려면 웨이퍼 전체가 아니라 표면만 데워야 한다. 플래시 램프 어닐(Flash lamp anneal)은 웨이퍼를 뒷면에서 중간 온도까지 예열한 뒤 앞면에 약 1 ms의 섬광을 쏜다. 섬광이 웨이퍼 두께 방향의 열전도 시간(대개 10~15 ms)보다 짧아 표면만 최고 온도에 오르고, 아직 차가운 몸체가 열을 빨아들여 표면이 곧 식는다. 레이저 어닐(Laser anneal)은 레이저 빔으로 웨이퍼를 훑는다. 앞단 공정의 LSA(Laser Spike Anneal)는 최고 1,050~1,350 °C에서 한 점이 빔 아래 머무는 시간이 0.2~2 ms다. Veeco는 이런 밀리초 어닐이 웨이퍼를 실리콘 녹는점 바로 아래까지 데운다고 설명한다. 더 짧게는 자외선 엑시머 레이저(308 nm)를 약 150 ns 펄스로 쏘는 방식이 있다. 빛이 표면 7 nm 안에서 흡수되어 수십 ns 만에 녹는점에 이르므로 표면을 녹였다가 다시 굳힌다. 녹이는 방식을 용융 레이저 어닐(Melt laser anneal), 녹이지 않는 방식을 비용융(Non-melt) 어닐이라 부른다.
몇 장을, 어떤 분위기에서, 어떤 웨이퍼를
퍼니스는 한 번에 많은 장을 처리한다. TEL의 EVAROS와 Kokusai의 대형 배치 장비는 최대 200장을 싣는다. 장수를 줄인 미니 배치(Mini batch)도 있어서, TEL의 TELFORMULA는 최대 50장, Kokusai의 미니 배치 장비는 최대 100장이다. RTP와 밀리초 어닐은 웨이퍼를 한 장씩 처리하는 단일 웨이퍼(Single-wafer, 현장에서는 매엽식이라고도 부른다) 방식이고, 처리량을 늘리려고 한 장비에 공정 챔버를 여러 개 붙인다. Applied의 Vantage는 공정 챔버 두 개를 웨이퍼 반송부에 바로 잇는다.
분위기와 압력도 장비를 가른다. 산화·확산·어닐은 대개 대기압 근처에서 하고, 퍼니스 안의 LPCVD는 진공 펌프로 압력을 낮춰서 한다. ASM은 종형 퍼니스의 CVD가 진공 펌프의 도움을 받는 낮은 압력에서 이루어진다고 설명하고, SONORA가 대기압과 저압 공정을 모두 할 수 있다고 적는다. 온도 말고 다른 손잡이로 반응을 돕는 장비도 있다. 플라즈마가 만든 라디칼과 이온으로 낮은 온도에서 산화·질화하는 장비, 수소의 압력을 높여 낮은 온도에서 깊은 곳까지 수소를 보내는 고압 어닐 장비가 그렇다(6절). 마지막으로 웨이퍼 크기다. 300 mm 라인과 200 mm 이하 라인은 장비가 다르고, TEL의 ALPHA-8SE i와 ASM의 A400 DUO, Mattson의 Helios C200처럼 200 mm 이하를 위한 제품이 따로 있다.
| 방식 | 가열 | 한 번에 | 시간 척도 (자료의 예) | 많이 쓰는 곳의 예 |
|---|---|---|---|---|
| 배치 퍼니스 | 저항 히터, 핫월 | 최대 50~200장 | 승온 분당 5~15 °C, 어닐 최소 약 15분 | 산화, 확산·활성화, LPCVD |
| 램프 RTP | 텅스텐 할로겐 램프, 콜드월 | 1장 (챔버 여러 개) | Spike \(t_R\) 0.9~1.6 s | 활성화, 실리사이드, 라디칼 산화 |
| 플래시 램프 | 예열 + 아크·크세논 섬광 | 1장 | 섬광 약 1 ms, 수 ms의 열 펄스 | 얕은 접합·S/D 활성화 |
| 레이저 (비용융) | 긴 파장 레이저·다이오드 레이저로 훑기 | 1장 | 체류 0.2~2 ms, 1 ms 안에 1,000 °C 넘게 | 접합 활성화, 실리사이드 |
| 레이저 (용융) | UV 엑시머 펄스 | 1장 (한 번에 한 영역) | 펄스 약 150~160 ns | 3D 적층의 국부 어닐 |
| 플라즈마 처리 | 마이크로파·RF 플라즈마 | 1장 | 온도보다 라디칼·이온이 손잡이 | 게이트 질화, 라이너 산화 |
| 고압 어닐 | 히터 + 높은 압력의 수소 | 배치 | 300~500 °C, 10~25기압(특허의 예) | 수소로 계면 결함 비활성화 |
공정에서 장비로: 지도 읽기
기준을 정했으니 공정과 장비를 이어 보자. 아래 지도는 해외 7곳, 국내 4곳 장비사의 공식 자료(2026년 10월 9일 열람)에서 열처리 플랫폼 32개를 골라, 왼쪽의 공정과 가운데의 장비 방식, 오른쪽의 회사를 선으로 이은 것이다. 공정은 회사 자료가 그 장비의 공정이나 응용으로 적은 것만 이었다. 한 플랫폼이 공정을 여러 개 적으면 선도 여러 개 나가고, 공정 목록을 적지 않은 플랫폼은 장비 방식과 회사 사이에만 선이 있다. 공정이나 회사를 고르면 해당하는 선이 진해지고, 지도의 상자를 누르면 그 공정·방식·회사의 제품 목록이 아래에 나온다.
열공정 → 장비 방식 → 회사 지도
근거: Tokyo Electron, KOKUSAI ELECTRIC, ASM, Applied Materials, Mattson Technology, SCREEN, Veeco, AP시스템, 원익IPS, 유진테크, HPSP. 지도 속 목록의 번호는 이 장 끝 참고문헌 번호와 같다.
지도를 몇 번 눌러 보면 패턴이 보인다. 첫째, 시간이 오래 걸리는 공정(열산화, 확산·어닐, 저온 어닐, 퍼니스 증착)은 거의 모두 배치 퍼니스로 간다. 둘째, 1초 안팎이나 그보다 짧은 공정(Spike, 밀리초 어닐, 실리사이드)은 모두 단일 웨이퍼 장비다. 셋째, '도펀트 활성화'와 '실리사이드'는 여러 방식에 걸쳐 있다. 같은 목적이라도 소자가 견딜 수 있는 열 예산에 따라 방식이 달라지기 때문이다. 넷째, 플래시와 레이저처럼 짧은 쪽으로 갈수록 회사 수가 적다. 다섯째, 국내 회사는 램프 RTP와 레이저(AP시스템), 배치 퍼니스(원익IPS, 유진테크), 고압 어닐(HPSP)로 나뉘어 있다. 유진테크의 Harrier-L은 배치 ALD·LPCVD 장비이고, 이 장에서는 유진테크의 산화·어닐 전용 장비를 공식 페이지에서 찾지 못했다.
열 예산과 처리량: 방식이 갈리는 이유
같은 '도펀트 활성화'를 퍼니스로도, RTP로도, 레이저로도 한다면 무엇을 보고 고를까? Applied Materials는 열처리 제품군을 소개하며 램프·레이저·히터 기반 장비 가운데 무엇을 쓸지는 제조 순서의 그 시점에서 소자가 어떤 온도와 시간을 견딜 수 있는지에 달렸다고 설명한다. 1장에서 본 열 예산(Thermal budget) 이야기다. 도펀트가 퍼지는 거리는 확산 계수와 시간의 곱 \(Dt\)로 정해지고, 온도가 바뀌는 열처리에서는 시간에 따라 쌓인 \(\int D\,dt\)가 최종 분포를 정한다. 가장 뜨거운 단계가 대개 이 합을 지배한다.
처리량은 다른 식을 따른다. 배치 퍼니스는 N장이 한 번 도는 시간을 함께 쓰고, 단일 웨이퍼 장비는 챔버 k개가 한 장씩 처리한다.
배치는 고정 시간과 긴 유지 시간을 N장에 나누므로 공정이 길수록 유리하다. 1997년 SEMATECH 공동 개발은 빠른 승온 퍼니스의 웨이퍼당 소유 비용을 50장을 실었을 때 3.02달러, 200장짜리 게이트 산화 적재에서 1.68달러로 추정했다. ASM도 2014년 연차 보고서에서 A412 퍼니스가 가장 짧은 사이클 타임을 위해서는 25장부터, 가장 낮은 비용을 위해서는 150장까지 싣는다고 적었다. 단일 웨이퍼는 램프 덕분에 실효 시간을 1초 안팎까지 줄일 수 있지만, 유지 시간이 길어지면 한 장 한 장이 그 시간을 다 써야 하므로 처리량이 빠르게 떨어진다. 아래 시뮬레이터에서 두 가지를 함께 보자.
열 예산과 처리량: 배치 퍼니스 · 램프 RTP · 밀리초 어닐
근거: B의 확산 상수, 퍼니스 승온·냉각 속도와 최소 시간, RTP의 대표 승온·냉각 프로파일, 밀리초 어닐의 시간 척도, 퍼니스 공정 온도의 상한(TEL 비교표의 ALPHA-8SE i, RT~1250 °C), RTP 온도 범위(Radiance Plus, 1350 °C 미만). 참고로 AP시스템은 KORONA RTP-12MP의 기계적 처리량(챔버 2개)을 시간당 142장으로 적는다.
모델로 계산하면 1,050 °C에서 RTP Spike(실효 약 0.6초)의 확산 길이는 약 4 nm이고, 같은 온도의 퍼니스 30분은 약 220 nm로 50배가 넘는다. 1,300 °C의 밀리초 어닐 1 ms는 약 2 nm로, 같은 온도의 RTP Spike(약 50 nm)보다 훨씬 작다. 처리량은 반대 방향으로 움직인다. 이 모델에서는 유지 시간이 약 70초를 넘으면 100장 배치 퍼니스가 챔버 2개짜리 RTP를 앞선다. 실제 확산은 이보다 크다. 주입 손상이 내놓는 격자간 원자 때문에 약 800 °C에서 B의 꼬리가 정상 확산보다 100배 넘게 빨리 움직이는 일시적 증속 확산(TED)이 한 시간 넘게 이어지기도 한다. 짧은 쪽에도 대가가 있다. 밀리초 어닐은 활성화에 유리하고 확산을 거의 없애지만, 뒤이은 열처리에서 비활성화가 생길 수 있다. 램프로 한쪽 면만 데우면 패턴이 만드는 온도 불균일이 커지고, 높은 온도와 빠른 승온에서 더 심해진다. 회사들이 이 문제에 어떻게 답하는지는 5절에서 본다.
이 절의 내용을 원인 → 결과 → 확인 방법의 순서로 이어 설명해 보자.
- 원인. 도펀트가 퍼지는 거리는 \(\sqrt{Dt}\)를 따르고, \(D\)는 온도에 지수적으로 커진다. 반면 활성화는 높은 온도를 원한다. 그래서 어떤 장비를 쓸지는 그 단계의 소자가 견딜 수 있는 온도와 시간의 조합으로 정해진다.
- 결과. 퍼니스는 온도가 느리게 오르내려 오래 머물므로 확산이 크지만 한 번에 많이 처리한다. Spike RTP는 최고 온도 근처의 시간을 1초 안팎으로 줄이고, 플래시·레이저 어닐은 밀리초로 더 줄여 활성화에 유리하면서 확산을 거의 없애지만 뒤이은 열처리에서 비활성화가 생길 수 있다. 주입 손상이 있으면 TED가 실제 확산을 키운다. 한쪽 면만 데우는 장비에서는 패턴에 따른 온도 차이도 따라온다.
- 확인 방법. 4탐침 면저항으로 활성화를, SIMS 깊이 분포로 접합 깊이와 확산을 본다. 뒤이은 낮은 온도 열처리 뒤 면저항을 다시 재면 비활성화를, 패턴이 있는 웨이퍼와 맨 웨이퍼의 면저항 지도를 비교하면 패턴 효과를 확인할 수 있다(10장). 장비 쪽에서는 \(t_R\) 같은 Spike의 날카로움 지표를 함께 본다.
퍼니스 장비사: TEL, Kokusai, ASM과 국내 회사
지금부터 회사들이 연차 보고서와 제품 페이지에서 스스로 무엇을 만든다고 말하는지 옮긴다. 순서는 순위가 아니다. 시장 지위는 회사가 공식 문서에 적은 것만 '회사의 주장'으로 옮기고, 제3자 사이트에 떠도는 점유율 숫자는 쓰지 않는다. 제품 이름은 회사 페이지에 적힌 그대로다.
Tokyo Electron (일본)
TEL의 출발점이 확산로다. 회사의 통합 보고서는 1968년 미국 Thermco Products의 확산로를 수입·판매할 권리를 얻었고, 1978년 TEL-Thermco Engineering이 확산로를 국내에서 만들기 시작했다고 적는다. TEL의 제품 목록은 퍼니스를 증착 아래의 'Oxide/Anneal(열 증착)'로 분류한다. 회사가 열처리 퍼니스와 배치 증착을 한 제품군으로 본다는 뜻이다. TELINDY 시리즈 페이지는 머리말에 300 mm 배치 퍼니스를 10,000대 넘게 출하했다고 적고, TELINDY PLUS의 응용으로 산화와 어닐, LPCVD, ALD와 함께 '라디칼(비플라즈마) 산화'를 든다. 빠르게 데우고 식히는 FTPS 히터, 산소가 적은 장입부 제어, 듀얼 보트 선택도 내세운다. 같은 페이지의 비교표를 옮기면 아래와 같다. 다섯 장비 모두 'N₂/LL'과 가스 세정을 선택 사양으로 두고, ALPHA-8SE i는 폴리실리콘용 ClF₃ 가스 세정을 따로 적는다.
| 제품 | 웨이퍼 | 최대 장수 | 공정 (표의 표현) | 공정 온도 |
|---|---|---|---|---|
| EVAROS™ | 300 mm | 200 | Oxide, Nitride, Poly | RT~800 °C |
| TELINDY PLUS™ | 300 mm | 125 | Thermal ALD, LPCVD, Oxidation/Anneal | RT~1100 °C |
| TELFORMULA™ | 300 mm | 50 | Oxide, Anneal, Nitride, Poly, TEOS, High-k | RT~1000 °C |
| TELINDY PLUS™ IRad™ | 300 mm | 125 | Plasma Assisted ALD SiN, SiO₂ | RT~800 °C |
| ALPHA-8SE™ i | 150, 200 mm | 150 | Oxide, Anneal, Nitride, Poly, TEOS, HTO, High-K | RT~1250 °C |
표: TEL TELINDY 시리즈 페이지의 비교표(2026년 10월 9일 열람, 회사 설명). 'Production load max'를 '최대 장수'로 옮겼다. 반응관은 IRad만 Plasma, 나머지는 Thermal로 적혀 있다.
표를 읽는 요령이 있다. 장수가 가장 많은 EVAROS는 공정 온도가 800 °C까지이고, 장수가 50장인 TELFORMULA는 1,000 °C까지 산화와 어닐을 한다. 장수, 온도, 공정의 조합이 장비마다 다르므로 '몇 장짜리 퍼니스'만으로 장비를 고를 수 없다. 이 장의 시뮬레이터가 퍼니스의 온도 상한을 1,250 °C로 둔 것은 이 표에서 가장 높은 값(200 mm용 ALPHA-8SE i)을 따른 것이고, 300 mm TELINDY PLUS는 1,100 °C까지로 적혀 있다.
KOKUSAI ELECTRIC (일본)
앞에서 본 것처럼 Kokusai는 1986년 종형 퍼니스 VERTEX 시리즈를 상용화했다. 2026년 6월에 낸 유가증권보고서는 대형 배치 장비가 한 번에 최대 200장, 미니 배치 장비가 최대 100장을 처리하고, 증착(LP-CVD, ALD)과 함께 열처리(열산화, 어닐, 확산)에 쓰인다고 설명한다. 고온 어닐 기술로 SiC를 포함한 전력 소자 분야에서 차별화한다고도 적는다. 제품 목록에서 AdvancedAce®-300은 공정으로 LP CVD, Oxidation, Diffusion, Annealing(저온·고온)을 적고, QUIXACE®-LV는 장입부를 진공 로드락으로 만들어 자연 산화막과 오염을 크게 줄인다고 설명한다. 200 mm용 VERTRON® Revolution은 175장을 싣고(천장이 낮은 곳을 위한 100장 선택), 산소와 수분 농도를 낮추는 분위기 제어를 선택 사양으로 둔다. 회사는 단일 웨이퍼를 '한 번에 한 장', 배치를 '한 번에 수십 장을 처리해 더 생산적인 방식'으로 설명한다.
작은 함정도 하나 있다. 같은 유가증권보고서는 2017년에 내놓은 200 mm 제품을 'VERTEX Revolution'으로 적는데, 제품 페이지의 이름은 'VERTRON Revolution'이다. 이 장은 제품 페이지의 이름을 따랐다. 같은 회사의 공식 문서끼리도 이름이 어긋날 수 있으니, 제품 이름은 가장 최근의 제품 페이지로 확인하는 습관이 좋다.
ASM International (네덜란드)
ASM은 종형 퍼니스를 LPCVD, 확산, 산화에 쓴다고 설명하고, 확산은 대개 이온 주입한 불순물을 전기적으로 활성화하거나 더 깊이 넣는 데 쓰인다고 적는다. 300 mm용 SONORA®는 반응기 두 개와 보트 두 개를 쓰는 최대 150장 대형 배치이고, 확산·산화·어닐·경화와 LPCVD, 배치 ALD를 공정으로 든다. 이전 모델 A412보다 생산성이 최대 30% 높다고도 적는다(회사 설명). A400™ DUO는 전력·아날로그·RF·MEMS용 200 mm 이하 배치 종형 퍼니스다. 회사의 2025 연차 보고서는 PECVD와 종형 퍼니스에서는 큰 시장 안의 틈새에 집중한다고 쓴다.
국내: 원익IPS와 유진테크
원익IPS의 WIDAS는 WINAS 플랫폼을 넓힌 배치 장비로, 한 번에 최대 175장을 싣고 빠르게 데우고 식히는 히터와 정밀한 온도·압력 제어를 내세운다. 공정으로는 산화, 어닐, 합금(Alloy), 폴리이미드 베이크(PI bake), 폴리실리콘, ALD 산화막·질화막을 든다. 열처리와 증착을 한 장비 계열에서 하는 셈이다. 유진테크의 Harrier-L(최대 150장, 7+1 영역 히터)과 Harrier-M(5+1 영역 히터, 400~850 °C)은 배치 ALD·LPCVD 장비로 소개된다. 두 회사의 증착 장비는 CVD Book 9장에서 자세히 다뤘다. 이 장에서 확인한 국내 회사는 원익IPS, 유진테크, AP시스템, HPSP의 공식 페이지뿐이고, 그 밖의 회사는 확인하지 않았으므로 적지 않는다.
퍼니스 회사들이 하나같이 장입부(웨이퍼를 보트에 싣고 관에 넣는 곳)의 분위기를 내세우는 데는 이유가 있다. TEL의 1989년 우선권 특허는 횡형 퍼니스를 예컨대 1,000 °C에서 장입하면 대류로 공기가 들어와 50~100 Å의 자연 산화막이 생기고, 세정한 웨이퍼를 공기 중에서 옮기는 동안에도 약 10 Å이 생긴다고 적는다. 그래서 로드락을 배기한 뒤 N₂로 채우고 나서 보트를 넣는 구조를 제안했다. 지금의 제품도 같은 문제에 답한다. TEL은 산소가 적은 장입부 제어와 'N₂/LL' 선택 사양을, Kokusai는 QUIXACE-LV의 진공 로드락과 VERTRON Revolution의 분위기 제어를 내세운다. 얇은 게이트 산화막이나 계면이 중요한 공정이라면 장비 사양을 볼 때 장입부의 산소·수분 관리부터 확인하자. 장입부의 구조는 8장에서 보았다.
RTP·밀리초·레이저 어닐 장비사
짧은 열처리 장비는 회사 수가 적고, 지난 10년 사이 주인이 바뀐 회사가 많다. 아래에서는 제품을 먼저 보고, 끝에서 소유와 합병의 흐름을 연표로 정리한다.
Applied Materials (미국)
Applied의 2010년 보도 자료에 따르면 Vantage RTP 플랫폼은 2002년에 나왔고, Radiance Plus나 RadOx, Astra 공정 챔버 두 개를 공장 인터페이스에 바로 잇는 구조이며, 그해 500번째 장비가 출하되었다. 그 이전 세대인 Centura RTP는 500대 넘게 설치되었다고 적는다. 지금의 제품은 넷이다. Vantage® Radiance® Plus RTP는 벌집 모양으로 배열한 다구역 램프와 방사율이 다른 웨이퍼를 위한 고온계 설계로 220 °C 초과~1,350 °C 미만에서 Soak와 Spike를 하고, 산소 1 ppm 미만에서 체류 1.5초 미만의 Spike를 낸다고 소개된다. 응용으로는 웰과 S/D 활성화, HKMG 신뢰성, 실리사이드, 막 치밀화, 응력 조절을 든다. Vantage® Vulcan® RTP는 램프를 웨이퍼 뒷면으로 돌려, 다이마다 빛을 흡수하는 정도가 달라 생기는 패턴 로딩 효과에 대응한다. Vantage® RadOx™ RTP는 RTP와 라디칼 산화 화학을 결합한 단일 웨이퍼 산화 장비로 메모리 게이트 산화막, STI 라이너, 3D NAND의 고종횡비 산화에 쓰인다. Vantage Astra DSA는 Applied의 첫 레이저 어닐 장비로, 맨 위 몇 원자층을 1 ms 안에 1,000 °C 넘게 데워 FinFET 콘택 저항을 줄이는 실리사이드 공정에 쓰인다고 소개된다. Applied의 회계연도 2025 연차 보고서는 RTP 장비를 Semiconductor Systems 부문에 넣고, 읽은 범위에서 RTP만 따로 뗀 매출은 밝히지 않는다.
Mattson Technology (미국)
Mattson은 1988년에 건식 스트립 장비로 시작해 플라즈마 식각, 급속 열처리, 밀리초 어닐로 넓혔고, 본사는 미국 Fremont, 설계와 제조는 미국과 독일에 있다고 소개한다. Helios® XP와 200 mm용 Helios® C200은 웨이퍼 앞뒷면을 함께 데우는 양면 가열 RTP다. 회사는 이 방식이 패턴 로딩 효과를 없애고, 한쪽 면만 데울 때 생기는 노광 초점 문제도 없앤다고 설명하며, 온도 범위로 200~1,300 °C, 산소 1 ppm 미만을 든다. 응용으로는 주입 후 활성화(S/D, LDD, 웰), 얕은 접합, 코발트·니켈·티타늄 실리사이드를 적는다. 밀리초 어닐 장비 Millios®는 수냉 벽 아르곤 아크 램프를 쓰고, 250~1,050 °C의 중간 온도에서 최대 600 °C를 더 올린다. 웨이퍼 방사율 0.2~0.9를 다루고 Spike와 Flash를 한 장비에서 결합하며, 웨이퍼가 깨지지 않게 응력을 관리한다고 적는다.
SCREEN Semiconductor Solutions (일본)
SCREEN의 Flash Lamp Annealer LA-3100은 크세논 플래시 램프로 수 ms의 열 펄스를 만들고, 산소가 적은 분위기에서 조사 중 웨이퍼 온도를 재며, 낮은 열 예산으로 S/D 도펀트를 높게 활성화한다고 소개된다. 2026년 10월 9일 현재 SCREEN의 제품 목록에서 'Annealing System'에 올라 있는 장비는 이것 하나다. 회사의 2015년 발표 자료는 할로겐 보조 가열을 단 플래시 장비(당시 LA-3000-F)와 150·200 mm용 할로겐 램프 RTA를 소개하고, '2014년 레이저 어닐 공급사 인수'로 제품군을 넓혔다고 적었다. 2018년 자료는 레이저 열 어닐을 맡는 LASSE가 2014년 6월 SCREEN 그룹 회사로 설립되었다고 적는다. 두 자료를 이어 보면 2014년에 들인 레이저 어닐 사업이 LASSE로 이어졌다고 읽힌다(해석). LASSE의 LT-3000/3100은 파장 308 nm, 약 160 ns 펄스의 자외선 레이저로 표면을 녹였다 굳히는 장비이고, CEA-Leti의 3D 순차 적층(CoolCube)에서 아래층을 해치지 않고 위층만 어닐하는 데 쓰려 했다. 다만 LT 계열은 지금의 제품 목록에 없어서, 현재 판매 여부는 이 장에서 확인하지 못했다.
Veeco (미국)
Veeco는 LSA 101과 LSA 201을 레이저 공정 장비로 묶어 소개한다. LSA 101은 40~14 nm 노드 양산용으로, 좁은 레이저 빔 하나가 표면을 최고 온도까지 데우고, 넓고 출력이 낮은 두 번째 빔으로 예열하는 듀얼 빔을 선택할 수 있다. LSA 201은 작은 챔버로 웨이퍼 위 분위기를 제어해 포밍 가스 같은 기체에서도 어닐하고, HKMG의 접합 활성화와 NiSi를 겨냥한다. 긴 파장의 빛을 Brewster 각과 p 편광으로 비춰 다이 안 균일도를 얻는다고 설명한다. Veeco의 회계연도 2025 연차 보고서는 밀리초 어닐이 웨이퍼를 실리콘 녹는점 바로 아래까지 데우고 패턴 밀도 효과를 줄여 온도 균일도를 얻는다고 쓰고, 녹는점을 넘는 나노초 어닐을 다음 세대로 개발 중이라고 적는다. LSA라는 이름은 Veeco 이전에도 있었다. 2014년의 LSA 기술 기사는 Ultratech 소속 저자가 썼고, Veeco는 2017년 5월 26일 Ultratech 인수를 마치며 Ultratech을 레이저 공정 장비 공급사로 소개했다. 그러니 지금의 LSA 계열은 Ultratech에서 왔다고 보는 것이 자연스럽다(해석).
AP시스템 (한국)
AP시스템은 1994년 10월 코닉시스템으로 설립되어 2009년 3월 지금의 이름으로 바꿨고, 1999년 1월 200 mm RTP인 KORONA RTP 800을, 2003년 11월 300 mm RTP인 KORONA RTP 1200을 개발했다고 연혁에 적는다. 지금의 KORONA™ RTP는 텅스텐 할로겐 램프로 웨이퍼를 짧은 시간에 데우는 장비로 이온 주입과 확산 분야에 쓰이고, Soak와 Spike를 제공하며, 자기 부상 비접촉 회전으로 면 안 균일도를 얻는다고 소개된다. 회사는 3파장 레이저를 쓰는 레이저 어닐 장비도 도펀트 활성화와 실리사이드 형성용으로 소개하지만, 사양 숫자는 페이지에 없다.
| 모델 | 챔버·분위기 | 온도 (페이지의 표현) | 승온·냉각 | 그 밖의 수치 |
|---|---|---|---|---|
| KORONA™ RTP-12MP | 챔버 2개, 780±2 Torr ~ 1×10⁻³ Torr | 읽기 400~1250 ℃, 제어 435~1200 ℃ | +250 / −90 ℃/s | 고온계 사이 최고 온도 균일도 목표±1.0 ℃(맨 웨이퍼), RTO 0.48%·Rs 0.72%(1σ), 기계적 처리량 142 WPH |
| KORONA™ RTP-12LPO | 챔버 2개, 대기압 | 450~1150 ℃ ±1.5 ℃ | Spike 최대 +250 / −90 ℃/s | T자 램프 290개, 챔버당 고온계 5개 |
| KORONA™ RTP-12LR/LPRR | 챔버 3개, 진공(2 Torr 초과), 로드락 4개 | 450~1150 ℃ ±0.5 ℃ | 최대 +100 / −40 ℃/s | 램프 290개, 챔버당 고온계 5개 |
표: AP시스템 열처리기술 페이지의 사양 탭(2026년 10월 9일 열람, 회사 설명). 진공 챔버 모델은 승온·냉각이 대기압 모델보다 느리게 적혀 있다.
짧은 열처리 장비 회사들은 지난 수십 년 동안 이름과 주인이 여러 번 바뀌었다. 아래 연표에서 공식 문서로 확인한 사건만 골라 갈래별로 늘어놓았다.
열처리 장비 회사의 연표: 제품과 소유의 변화
연표의 근거: TEL 통합 보고서, 일본 반도체 역사관, HPSP 연혁, Mattson 회사 소개와 SEC 공시, AP시스템 연혁, Applied 보도 자료, SCREEN 발표 자료, imec 보도 자료, Veeco SEC 공시.
열처리 장비 쪽에서 주인이 바뀐 사례가 여럿 있다. Mattson Technology는 2016년 5월 11일 Beijing E-Town Dragon Semiconductor Industry Investment Center의 인수가 끝나 Nasdaq 거래를 멈췄고, 당시 스스로를 건식 스트립, 식각, 일반 급속 열처리, 밀리초 어닐 회사로 설명했다. 지금의 회사 소개에는 소유주가 적혀 있지 않고, 설계와 제조를 미국과 독일에서 한다고만 적는다. Veeco는 2017년 Ultratech을 인수했고, 2025년 9월 30일 Axcelis(IMP Book 8장에서 본 이온 주입 장비 회사)와 합병 계약을 맺어 2026년 2월 6일 양사 주주의 승인을 받았다. 2026년 8월 5일에 낸 분기 보고서까지는 규제 승인을 포함한 종결 조건이 남은 상태로 적혀 있었고, 그 뒤의 진행은 이 장에서 확인하지 못했다. SCREEN은 2014년에 레이저 어닐 공급사를 인수했다고 발표 자료에 적었다. 장비를 쓰는 쪽에서는 회사 이름이 바뀌어도 제품 계열, 부품과 서비스를 맡는 조직, 사양표가 마지막으로 고쳐진 시점을 공식 자료로 다시 확인하는 것이 안전하다(해석). 날짜가 붙은 사실은 '언제 기준인지'와 함께 기억하자.
특수 열처리: 플라즈마 산화·질화와 고압 어닐
온도를 올리지 않고 반응을 돕는 방법이 둘 있다. 하나는 플라즈마로 반응성이 큰 라디칼과 이온을 만들어 낮은 온도에서 산화·질화하는 것이고, 다른 하나는 기체의 압력을 높여 낮은 온도에서도 막 속 깊이 기체를 보내는 것이다. 둘 다 게이트 절연막과 계면처럼 열 예산이 빠듯한 곳에서 쓰인다.
플라즈마 산화·질화
TEL의 Trias e⁺™ SPA i는 SPA(Slot Plane Antenna) 기술로 밀도가 높고 전자 온도가 낮은 플라즈마를 만들어 손상이 적은 저온 처리를 한다고 소개되고, 앞단 공정 용도로 게이트 질화, 게이트 회복 산화, STI 라이너 산화, High-k 질화를 든다. TEL의 한 특허는 SPA 원천을 약 2.45 GHz 마이크로파를 슬롯이 많은 평면 안테나로 넣어 전자 온도 약 1.5 eV 미만, 밀도 약 10¹² cm⁻³ 초과의 플라즈마를 만드는 방식으로 설명하고, 이런 플라즈마로 게이트 스택을 손상 없이 처리할 수 있다고 적는다.
Applied의 Centura® DPN HD는 분리 플라즈마 질화(DPN, Decoupled Plasma Nitridation) 챔버와 질화 후 어닐(PNA, Post-Nitridation Anneal) 챔버를 한 장비 본체에 함께 둔다. 낮은 에너지의 펄스 플라즈마로 산질화막의 위쪽에 질소를 많이, 실리콘 계면 쪽에 적게 넣는다. 질소는 유전 상수를 높이고 게이트 누설을 줄이며 도펀트가 절연막을 뚫고 들어오는 것을 막는다. 그런데 질화 직후의 막에서는 질소가 시간이 지나며 줄어들기 때문에, 같은 진공 안에서 곧바로 PNA를 해 이를 막고 문턱 전압을 흔드는 불안정한 결합을 없앤다고 회사는 설명한다. Kokusai의 MARORA®는 MMT 원천(전자 온도 약 1 eV)으로 플라즈마 질화와 플라즈마 산화를 하는 단일 웨이퍼 장비이고, 산화 방식으로 얇은 산화, 금속은 두고 실리콘만 산화하는 선택 산화, 이방성 산화를 든다. Kokusai는 자사의 단일 웨이퍼 플라즈마 처리 장비가 2025년 'Plasma Gate Modification Tools' 시장에서 1위였다고 유가증권보고서에 적는데, Gartner 자료를 인용한 회사의 주장이다.
플라즈마 없이 라디칼로 산화하는 장비도 있다. TEL은 TELINDY PLUS의 응용에 '라디칼(비플라즈마) 산화'를 넣고, Applied는 RadOx를 RTP와 라디칼 산화 화학의 결합으로 소개한다. 4장에서 본 ISSG 특허는 단일 웨이퍼 RTP 챔버에 수소와 산소를 넣어 뜨거운 웨이퍼 근처에서 반응시키는 방법이다. 다만 RadOx 페이지에는 ISSG라는 말이 없으므로 두 이름을 같은 것으로 단정하지 않는다.
고압 수소 어닐
배선까지 만든 웨이퍼의 Si/SiO₂ 계면 결함은 수소로 비활성화한다(5장, 7장). 그런데 배선이 있으면 온도를 올릴 수 없고, 막이 여러 겹이면 수소가 계면까지 가는 데 시간이 든다. Micron의 1996년 출원 특허는 포밍 가스의 압력을 높이면 수소 확산이 빨라져 어닐이 더하는 열 예산이 줄어든다고 설명하고, 알루미늄 배선이 있을 때의 전형적 온도로 300~500 °C(최적 약 400 °C), 최적 압력으로 10~25기압 범위를 든다. 학계에서는 512-Mb DRAM에 100% 중수소 고압 어닐(400 °C, 30분)을 적용해 접합 누설을 줄이고 데이터 보존 시간을 늘린 결과가 발표되었다.
국내의 HPSP(에이치피에스피)가 이 분야의 장비 회사다. 회사 연혁은 2005년 10월 풍산마이크로텍 장비팀으로 시작해 2017년 4월 HPSP로 출범했고, 첫 Geni를 미국 IDM에, 첫 Geni-Sys를 국내 IDM에 공급했으며, Geni-Sys를 누적 100대 팔았다고 적는다. 고압 산화는 1980년대에 GaSonics가 처음 도입했다고도 쓴다. 제품 페이지는 트랜지스터 구동 전류와 IC 성능이 '10~15%' 오른다는 것, 낮은 온도, 계면 결함 비활성화에 맞춘 수소 농도를 내세우지만 압력이나 온도 숫자는 적지 않는다. 압력 숫자는 회사가 SEMI 회원 명부에 낸 소개문에만 있다. 이 소개문은 장비를 전통적인 배치 퍼니스와 최대 25기압의 고압 공정을 결합한 고압 어닐 장비로, GENI-SYS를 고압 어닐부터 습식 산화까지 쓰는 장비로 설명한다. imec은 2024년 보도 자료에서 HPSP를 고압 수소 어닐 장비를 개발·제조하는 '세계 최초이자 유일한 회사'로 소개하고, 2015년부터 함께 연구해 왔으며 고압 어닐이 FinFET, GAA, DRAM, 3D NAND에 적용되었다고 적었다. 앞의 것은 회사가 낸 글이고 뒤의 것은 협력 기관의 글이다. 둘 다 독립적인 시장 조사가 아니라는 점을 기억하자. 수소를 높은 압력으로 다루는 안전 문제는 7장과 11장에서 다룬다.
장비를 고르는 기준과 회사의 주장 읽는 법
지금까지를 모아, 열처리 하나를 보고 장비 방식을 고를 때 던지는 질문을 순서대로 적어 보자. 실제 Fab은 이미 가진 장비와 라인 사정까지 따지지만, 물리적으로 가능한지를 거르는 순서는 대략 다음과 같다(이 장의 정리).
- 열 예산. 이 단계의 소자가 견딜 수 있는 온도와 시간은 얼마인가. 필요한 온도에서 허용되는 실효 시간이 1초보다 짧으면 플래시나 레이저, 1초 안팎이면 램프 RTP, 수십 분 이상이면 퍼니스가 후보다(3절 시뮬레이터).
- 공정 시간과 물량. 공정이 오래 걸리고 웨이퍼가 많으면 배치가 웨이퍼당 비용을 낮춘다. 개발 로트처럼 빨리 돌려받아야 하면 짧은 TAT를 내세우는 미니 배치(TELFORMULA)도 있다.
- 분위기와 압력. 장입부의 산소와 수분을 얼마나 막아야 하는가, 라디칼이나 플라즈마가 필요한가, 높은 압력이 필요한가.
- 패턴과 균일도. 한쪽 면 램프 가열은 패턴에 따른 온도 차이를 키울 수 있다. 회사들은 뒷면 램프(Vulcan), 양면 가열(Helios), 긴 파장·Brewster 각 레이저(LSA 201)를 답으로 내세운다.
- 웨이퍼 크기와 라인. 200 mm 이하 라인에는 따로 나온 장비(ALPHA-8SE i, A400 DUO, Helios C200, VERTRON Revolution)가 있다.
장비를 고를 때 회사 자료를 많이 읽게 되는데, 시장 지위를 말하는 문장은 특히 조심해서 읽어야 한다. 먼저 예측해 보자.
두 회사가 모두 1위라고?
회사의 시장 지위 문장을 볼 때는 ① 누가 말했나 ② 어떤 시장인가(정의) ③ 언제 기준인가 ④ 누가 셌나 ⑤ 측정값인가 목표인가를 차례로 묻자. 이 장에서 읽은 문장을 이 질문에 맞춰 정리하면 아래와 같다.
| 말한 곳 | 문장 | 시장의 정의·기간 | 센 곳 |
|---|---|---|---|
| Tokyo Electron | Diffusion furnace 'NO. 1', Batch deposition 'NO. 1' | Diffusion furnace는 열처리를, Batch deposition은 ALD와 CVD를 포함 | TEL 자체 추정 |
| KOKUSAI ELECTRIC | 배치 증착 장비가 매출 세계 점유율 1위 | 배치 ALD 대응 장비, 2025년 | TechInsights 자료를 회사가 인용 |
| KOKUSAI ELECTRIC | 단일 웨이퍼 플라즈마 처리 장비 1위 | Plasma Gate Modification Tools, 2025년 | Gartner 자료를 회사가 인용 |
| Applied Materials | RTP 기술의 선두, 램프 기반 RTP에서 과반 | 램프 기반 RTP 응용, 2009년 | Gartner Dataquest 자료를 회사가 인용(2010년 보도 자료) |
| HPSP | '고압 공정 장비 100% 시장 점유율 유지' | 비전 문구 | 측정값이 아니라 회사의 목표 |
표 밖의 함정도 있다. SCREEN의 2015·2018년 발표 자료에는 'Market Share No.1' 표시가 있지만, 그 표시는 습식 세정과 스크러버 제품 옆에 붙어 있고 플래시·레이저 어닐 옆에는 없다. 그러니 'SCREEN은 어닐 1위'라고 옮기면 틀린다. imec 보도 자료의 '세계 최초이자 유일한 회사'는 협력 기관의 표현이다. ASM은 종형 퍼니스에서 틈새에 집중한다고만 적는다. Applied의 2009년 점유율은 17년 전의 일이며 지금의 점유율이 아니다. 인터넷에는 열처리 장비 회사별 점유율이라며 구체적인 백분율이 돌아다니지만, 회사의 공식 문서에서 확인한 숫자가 아니어서 이 장에서는 쓰지 않았다.
장비 사양표의 숫자에는 대개 조건이 붙어 있다. AP시스템이 KORONA RTP-12MP에 적은 시간당 142장은 '기계적 처리량'(챔버 2개)이다. 웨이퍼를 옮기는 능력의 상한이지, 어떤 레시피를 돌렸을 때의 값이 아니다. 같은 표의 최고 온도 균일도 '목표±1.0 ℃'에는 '맨 웨이퍼'라는 조건이 붙어 있다. 패턴이 있는 웨이퍼는 다르게 데워질 수 있다. 같은 회사의 공식 자료끼리 숫자가 다르기도 하다. Applied의 Vulcan 제품 페이지는 Spike 범위를 350~1,350 °C로 적는데, 보관된 이전 판의 제품 라이브러리 페이지는 150~1,300 °C로 적었다. Radiance Plus의 '체류 1.5초 미만'은 산소 1 ppm 미만에서의 Spike 조건과 함께 적혀 있다. TEL 비교표의 장수도 '최대'다. 사양을 비교할 때는 ① 어떤 조건의 값인가 ② 최대인가 대표값인가 ③ 언제 고쳐진 자료인가를 함께 적어 두자.
이제 이 장의 기준으로 아래 문제를 풀어 보자. 문제의 공정은 모두 회사 자료, 특허, 논문에 나온 응용에서 골랐다.
이 공정엔 어떤 장비 방식?
문제의 근거: 산화, S/D 활성화 Spike, 얕은 접합의 밀리초 활성화, 3D 적층의 용융 레이저 어닐, 게이트 질화, 고압 수소 어닐, 콘택 실리사이드, 라디칼 STI 라이너 산화, 합금·PI 베이크. 그림의 시간 척도.
문제를 풀어 보면 '온도와 시간'을 먼저 묻는 것이 대부분의 답을 정한다는 것을 알 수 있다. 그다음이 물량, 분위기와 압력이다. 다음 장에서는 이렇게 처리한 웨이퍼에서 면저항, 접합 깊이, 산화막 두께를 어떻게 재는지 본다. 이 장의 면접 포인트에서 '확인 방법'으로 든 측정이 실제로 무엇을 뜻하는지도 거기서 다시 볼 것이다.
핵심 정리
- 열공정 장비는 가열 방식이 정하는 시간 척도로 크게 나뉜다. 저항 히터 핫월 퍼니스는 넣고 빼는 시간까지 15분 이상, 램프 RTP의 Spike는 1초 안팎(\(t_R\) 0.9~1.6 s), 플래시·레이저는 0.2 ms~수 ms, UV 용융 레이저는 약 150 ns다. 여기에 한 번에 처리하는 장수(배치 50~200장 대 단일 웨이퍼), 분위기와 압력(플라즈마, 고압), 웨이퍼 크기가 보조 기준으로 붙는다.
- 오래 걸리는 공정(열산화, 확산·어닐, 저온 어닐, 퍼니스 증착)은 배치 퍼니스로, 1초 안팎과 그보다 짧은 공정(Spike, 밀리초 어닐, 실리사이드)은 단일 웨이퍼 장비로 간다. 도펀트 활성화처럼 여러 방식에 걸친 공정은 그 단계의 열 예산이 방식을 정한다.
- 확산 길이 \(2\sqrt{\int D\,dt}\)는 온도와 시간에 함께 달려, 같은 1,050 °C라도 퍼니스 30분이 RTP Spike보다 50배 넘게 길다(모델 계산). 처리량은 반대로, 공정이 길수록 고정 시간과 유지 시간을 여러 장에 나누는 배치가 앞선다.
- 퍼니스: TEL(TELINDY PLUS, EVAROS, TELFORMULA, TELINDY PLUS IRad, ALPHA-8SE i), KOKUSAI ELECTRIC(AdvancedAce, QUIXACE, VERTRON Revolution), ASM(SONORA, A400 DUO), 원익IPS(WIDAS). 짧은 열처리: Applied(Radiance Plus, Vulcan, RadOx, Astra DSA), Mattson(Helios, Millios), SCREEN(LA-3100), Veeco(LSA 101·201), AP시스템(KORONA RTP, 레이저 어닐). 특수 열처리: TEL Trias e⁺ SPA i, Applied Centura DPN HD, Kokusai MARORA, HPSP GENI 계열.
- 소유가 바뀐 사례: Mattson은 2016년 Beijing E-Town Dragon에 인수되었고, Veeco는 2017년 Ultratech을 인수했으며, Veeco–Axcelis 합병은 2026년 8월 5일 분기 보고서 기준으로 종결 조건이 남아 있었다. SCREEN은 2014년 레이저 어닐 공급사를 들였고, 같은 해 6월 레이저 어닐 회사 LASSE가 SCREEN 그룹 회사로 설립되었다.
- 시장 지위 문장은 누가, 어떤 시장을, 언제, 누가 셌는지 나눠 읽는다. TEL의 배치 증착 1위는 자체 추정, Kokusai의 배치 ALD 대응 장비 1위는 TechInsights를 인용한 2025년 기준이라 둘 다 참일 수 있다. SCREEN 자료의 No.1은 세정 제품이고, HPSP의 100%는 목표 문구다. 사양표의 숫자도 조건(기계적 처리량, 맨 웨이퍼, 최대 장수)과 함께 읽는다.
확인 퀴즈
1. 램프 RTP의 Spike로는 최고 온도 근처의 시간을 1 ms까지 줄이기 어렵지만 플래시 램프 어닐은 할 수 있다. 가장 큰 까닭은?
2. 한 시간 넘게 걸리는 산화를 웨이퍼 수천 장에 해야 한다. 이 장의 모델로 볼 때 배치 퍼니스가 유리한 까닭은?
3. 한쪽 면 램프 가열에서 패턴이 만드는 온도 불균일에 대응하려고 회사들이 내세운 방법이 아닌 것은?
4. 고압 수소 어닐이 노리는 것으로 가장 알맞은 것은?
5. Applied Materials의 2010년 보도 자료에 나오는 'RTP 시장 선두' 문장을 바르게 읽은 것은?